Etching system
주로 화학적인 반응에 의해 에칭 진행
이온의 충돌에 의한 이방성 에칭이 되기 어려움
아래 위 두 전극의 크기는 거의 같이 보이지만
반응관 벽면은 접지되어 있으므로
RF가 인가되는 전극에 비해 웨이퍼가 올려져 있는 접지된 전극의 면적이 훨씬 크다.
Reactive Ion Etching system
충돌하
1. Dry Etch; PR 등의 보호막으로 가려져 있지 않은 부위의 막질 제거
2. Ashing; PR 제거
3. Plasma Nitridation; 얇은 산화막 등 유전막의 특성 개선을 위한 표면 처리
4. Plasma Oxidation; Transistor의 특성 개선을 위한 표면 처리
5. 유전막 PE-CVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition); SiON 등의
유전막 증착
6. Barrier Meta
Al Etching Chamber
-반도체 제조 공정중 하나인 Al Etching 과정은 기자재상에 접착되어 있는 전도성 물질의 불필요한 부분을 화학적 또는 화학처리 및 전리 작용에 의해 제거함으로써 원하는 인쇄 회로를 형성시키는 작업 도는 그 공정을 말한다. Etching 과정에는 습식과 건식으로 나눌 수 있다. 습식과정은
1. Abstract
CFD란 프로그램을 사용하여 반도체, LCD 공정 등에서 많이 이용되는 Al표면을 Cl기체를 이용하여 Etching하는 공정을 simulation하여 본다. 이 과정을 통하여 엔지니어에게 요구되는 반응기의 컨트롤을 미리 예측할 수 있고, 공정에서의 경제성을 확인할 수 있다. 또한, 최적의 입구 속도, 입구 지름,
Flip Chip 공정이란 쉽게 말해서 반도체 칩을 제조하는 과정에서 웨이퍼의 Etching, Sputtering 등의 공정이 끝나면 테스트를 거치고 최종적으로 Packaging을 하게 된다. Packaging 이란 Outer lead(기판과 칩을 전기적으로 연결하는 외부단자)가 형성된 기판에 칩이 실장하고 플라스틱 몰딩을 하는 것을 말한다. 이 Outer